DTC123JEFRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DTC123JEFRA

Маркировка: E42

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-416

 Аналоги (замена) для DTC123JEFRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DTC123JEFRA даташит

 ..1. Size:1527K  rohm
dtc123jefra dtc123jkafra dtc123jmfha dtc123juafra.pdfpdf_icon

DTC123JEFRA

DTC123J series Datasheet NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter Value VMT3 EMT3F VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 2.2k DTC123JM DTC123JEB R2 (SC-105AA) (SC-89) 47k EMT3 UMT3F lFeatures l 1) Built-In Biasing Resistors 2) Built-in bias resistors enable the configuration of DTC123JE DTC123

 5.1. Size:54K  motorola
pdtc123jef 1.pdfpdf_icon

DTC123JEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 5.2. Size:54K  philips
pdtc123jef 1.pdfpdf_icon

DTC123JEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 k respectively) 3 handbook, halfpage 3 Simplification of circuit design R1 1 Red

 6.1. Size:55K  motorola
pdtc123je 3.pdfpdf_icon

DTC123JEFRA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC123JE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 Aug 03 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC123JE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage 3 3

Другие транзисторы: DTC115EMFHA, DTC115EN3, DTC115EUAFRA, DTC115EY3, DTC115TC3, DTC115TE, DTC115TET1G, DTC115TM, TIP31, DTC123JET1G, DTC123JKAFRA, DTC123JM3, DTC123JM3T5G, DTC123JMFHA, DTC123JN3, DTC123JUAFRA, DTC123TE