EMB10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMB10

Маркировка: B10

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB10 даташит

 ..1. Size:118K  rohm
 emb10 umb10n imb10a umb10n.pdf pdf_icon

EMB10

EMB10 / UMB10N / IMB10A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB10 / UMB10N / IMB10A Dimensions (Unit mm) Features 1) Two DTA123J chips in a EMT or UMT or SMT EMB10 package. (6) (5) (4) 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3) interference. Each l

 ..2. Size:543K  rohm
 emb10.pdf pdf_icon

EMB10

EMB10 / UMB10N / IMB10A Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) -100mA (3) (3) R1 2.2kW EMB10 UMB10N R2 (SC-107C) 47kW SOT-353 (SC-88) SMT6 (4) (5) lFeatures (6) (3) 1) Built-In Biasing

 0.1. Size:801K  nxp
 pemb10 pumb10.pdf pdf_icon

EMB10

PEMB10; PUMB10 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 47 k Rev. 3 3 January 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Table 1. Product overview Type number Package NPN/PNP NPN/NPN Package complement complement configuration NXP JEITA PEM

 0.2. Size:1355K  rohm
 emb10fha umb10nfha imb10afra.pdf pdf_icon

EMB10

EMB10 / UMB10N / IMB10A EMB10FHA / UMB10NFHA / IMB10AFRA Datasheet PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC -50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) -100mA (3) (3) R1 2.2kW EMB10 UMB10N EMB10FHA UMB10NFHA R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DTD123TK, DTD143EN3, DTD143TK, DTD143TN3, DTDG14GP, EMA3, EMA4, EMA5, 2SD669A, EMB10FHA, EMB11, EMB11FHA, EMB2, EMC3DXV5T1G, EMC3DXV5T5G, EMC4DXV5, EMC4DXV5T1G