Справочник транзисторов. EMB10FHA

 

Биполярный транзистор EMB10FHA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMB10FHA
   Маркировка: B10
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC-107C
 

 Аналог (замена) для EMB10FHA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB10FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1355K  rohm
 emb10fha umb10nfha imb10afra.pdf pdf_icon

EMB10FHA

EMB10 / UMB10N / IMB10AEMB10FHA / UMB10NFHA / IMB10AFRADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCC-50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)-100mA (3) (3) R12.2kWEMB10 UMB10N EMB10FHA UMB10NFHAR247kW (SC-107C) SOT-353 (

 ..2. Size:1355K  rohm
 emb10fha.pdf pdf_icon

EMB10FHA

EMB10 / UMB10N / IMB10AEMB10FHA / UMB10NFHA / IMB10AFRADatasheetPNP -100mA -50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCC-50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)-100mA (3) (3) R12.2kWEMB10 UMB10N EMB10FHA UMB10NFHAR247kW (SC-107C) SOT-353 (

 9.1. Size:801K  nxp
 pemb10 pumb10.pdf pdf_icon

EMB10FHA

PEMB10; PUMB10PNP/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 2.2 k, R2 = 47 kRev. 3 3 January 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package NPN/PNP NPN/NPN Package complement complement configurationNXP JEITAPEM

 9.2. Size:118K  rohm
 emb10 umb10n imb10a umb10n.pdf pdf_icon

EMB10FHA

EMB10 / UMB10N / IMB10A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB10 / UMB10N / IMB10A Dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTA123J chips in a EMT or UMT or SMT EMB10package. (6) (5) (4)2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (1) (2) (3)interference. Each l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... DTD143EN3 , DTD143TK , DTD143TN3 , DTDG14GP , EMA3 , EMA4 , EMA5 , EMB10 , 2SD669 , EMB11 , EMB11FHA , EMB2 , EMC3DXV5T1G , EMC3DXV5T5G , EMC4DXV5 , EMC4DXV5T1G , EMC5DXV5 .

 

 
Back to Top

 


 
.