EMC4DXV5T1G - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор EMC4DXV5T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: EMC4DXV5T1G
   Маркировка: UE
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.357 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-553

Аналоги (замена) для EMC4DXV5T1G

EMC4DXV5T1G Datasheet (PDF)

..1. Size:133K onsemi
emc3dxv5t1g emc3dxv5t5g emc4dxv5t1g emc5dxv5t1g.pdf

EMC2DXV5T1G,EMC3DXV5T1G,EMC4DXV5T1G,EMC5DXV5T1GDual Commonhttp://onsemi.comBase-Collector Bias312Resistor TransistorsR1R2NPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic BiasQ2R2Resistor NetworkQ1R1The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series base45resis

4.1. Size:137K onsemi
emc2dxv5t1 emc3dxv5t1 emc4dxv5t1 emc5dxv5t1.pdf