EMC4DXV5T1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMC4DXV5T1G

Маркировка: UE

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.357 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-553

 Аналоги (замена) для EMC4DXV5T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMC4DXV5T1G даташит

 ..1. Size:133K  onsemi
 emc3dxv5t1g emc3dxv5t5g emc4dxv5t1g emc5dxv5t1g.pdf pdf_icon

EMC4DXV5T1G

EMC2DXV5T1G, EMC3DXV5T1G, EMC4DXV5T1G, EMC5DXV5T1G Dual Common http //onsemi.com Base-Collector Bias 31 2 Resistor Transistors R1 R2 NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Q2 R2 Resistor Network Q1 R1 The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base 45 resis

 4.1. Size:137K  onsemi
 emc2dxv5t1 emc3dxv5t1 emc4dxv5t1 emc5dxv5t1.pdf pdf_icon

EMC4DXV5T1G

EMC2DXV5T1G, EMC3DXV5T1G, EMC4DXV5T1G, EMC5DXV5T1G Dual Common http //onsemi.com Base-Collector Bias 31 2 Resistor Transistors R1 R2 NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Q2 R2 Resistor Network Q1 R1 The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base 45 resis

 6.1. Size:95K  onsemi
 emc4dxv5 emc5dxv5.pdf pdf_icon

EMC4DXV5T1G

EMC2DXV5T1G, EMC3DXV5T1G, EMC4DXV5T1G, EMC5DXV5T1G Dual Common http //onsemi.com Base-Collector Bias 31 2 Resistor Transistors R1 R2 NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Q2 R2 Resistor Network Q1 R1 The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base 45 resis

Другие транзисторы: EMB10, EMB10FHA, EMB11, EMB11FHA, EMB2, EMC3DXV5T1G, EMC3DXV5T5G, EMC4DXV5, 2SC2383, EMC5DXV5, EMC5DXV5T1G, EMD12, EMD12FHA, EMD2, EMD22, EMD22FHA, EMD29