Биполярный транзистор EMD22 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EMD22
Маркировка: D22
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SC-107C
EMD22 Datasheet (PDF)
emd22 umd22n.pdf
EMD22 / UMD22NDatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) OutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6)(5)(5)(4)(4)VCC50V(1)(1)(2)IC(MAX.)100mA(2)(3)(3)R14.7kEMD22UMD22N(SC-107C)R2 SOT-363 (SC-88)47kParameter ValueVCC50VIC(MAX.)100mAR14.7kR2
emd22 umd22n.pdf
General purpose (dual digital transistors) EMD22 / UMD22N Features Dimensions (Unit : mm) 1) Both the DTA143Z chip and DTC143Z chip in an EMT or UMT package. EMD222) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (4) (3)(5) (2)interference. (6) (1)1.21.64) Mounting cost and area can be cut in half.
emd22fha umd22nfha.pdf
EMD22FHA / UMD22NFHAEMD22 / UMD22NDatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 Qualified OutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6)(6)(5)(5)(4)(4)VCC50V(1)(1)(2)IC(MAX.)100mA(2)(3)(3)R14.7kEMD22FHA UMD22NFHAEMD22UMD22N(SC-107C)R2 SOT-363 (SC-88)47kParam
chemd22gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHEMD22GPSURFACE MOUNTDual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-563)SOT-563* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabil
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050