EMD22 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: EMD22
Маркировка: D22
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: SC-107C
Аналоги (замена) для EMD22
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
EMD22 даташит
emd22 umd22n.pdf
EMD22 / UMD22N Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Outline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 4.7k EMD22 UMD22N (SC-107C) R2 SOT-363 (SC-88) 47k Parameter Value VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 4.7k R2
emd22 umd22n.pdf
General purpose (dual digital transistors) EMD22 / UMD22N Features Dimensions (Unit mm) 1) Both the DTA143Z chip and DTC143Z chip in an EMT or UMT package. EMD22 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating (4) (3) (5) (2) interference. (6) (1) 1.2 1.6 4) Mounting cost and area can be cut in half.
emd22fha umd22nfha.pdf
EMD22FHA / UMD22NFHA EMD22 / UMD22N Datasheet NPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified Outline EMT6 UMT6 Parameter Value (6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC 50V (1) (1) (2) IC(MAX.) 100mA (2) (3) (3) R1 4.7k EMD22FHA UMD22NFHA EMD22 UMD22N (SC-107C) R2 SOT-363 (SC-88) 47k Param
chemd22gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHEMD22GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SOT-563) SOT-563 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capabil
Другие транзисторы: EMC3DXV5T5G, EMC4DXV5, EMC4DXV5T1G, EMC5DXV5, EMC5DXV5T1G, EMD12, EMD12FHA, EMD2, 431, EMD22FHA, EMD29, EMD2FHA, EMD3, EMD30, EMD38, EMD3FHA, EMD4
History: 2SD1221Y
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor




