Справочник транзисторов. EMD5DXV6

 

Биполярный транзистор EMD5DXV6 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMD5DXV6
   Маркировка: U5
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.357 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT-563
 

 Аналог (замена) для EMD5DXV6

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMD5DXV6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  onsemi
 emd5dxv6 emd5dxv6t5g.pdf pdf_icon

EMD5DXV6

EMD5DXV6T5GDual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Biashttp://onsemi.comResistor Network(3) (2) (1)The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series base R1 R2resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors areQ1designed to r

 0.1. Size:61K  onsemi
 emd5dxv6-d.pdf pdf_icon

EMD5DXV6

EMD5DXV6T1,EMD5DXV6T5Preferred DevicesProduct PreviewDual Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic Bias (3) (2) (1)Resistor NetworkR1 R2Q1The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor withQ2a monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseR2 R1resistor and a base-emi

Другие транзисторы... EMD3FHA , EMD4 , EMD4DXV6T1G , EMD4DXV6T5G , EMD5 , EMD52 , EMD53 , EMD59 , C945 , EMD5DXV6T5G , EMD6 , EMD62 , EMD6FHA , EMD72 , EMD9 , EMD9FHA , EMF18XV6 .

 

 
Back to Top

 


 
.