Биполярный транзистор EMD9 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: EMD9
Маркировка: D9
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
Корпус транзистора: SC-107C
- подбор биполярного транзистора по параметрам
EMD9 Datasheet (PDF)
emd9.pdf

EMD9 / UMD9N / IMD9ADatasheetNPN + PNP Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutlineEMT6 UMT6Parameter Value(6) (6) (5) (5) (4) (4) VCC50V(1) (1) (2) IC(MAX.)100mA (2) (3) (3) R110kWEMD9 UMD9N (SC-107C) R2 SOT-353 (SC-88) 47kWSMT6(4) (5) (6) (3) Parameter Valu
emd9.pdf

EMD9 dual digital transistors (NPN+ PNP)SOT-563 FEATURES Two DTA114Y and DTC114Y transistors are built-in a package 1 Marking: D9 Equivalent circuit DTr1 Absolute maximum ratings (Ta=25) Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC 50 V Input voltage VIN -6~+40 V IO 70 Output current mA IC(MAX) 100 Power dissipation Pd 150 mW Junction temperature Tj 150
pemd9 pumd9.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMD9; PUMD9NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 15Supersedes data of 2003 Nov 04 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/PNP resistor-equipped transistors; PEMD9; PUMD9R1 = 10 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UN
pemd9 pumd9.pdf

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: HUN5213 | S8550E



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103