Биполярный транзистор EMG1 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: EMG1
Маркировка: G1
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: SC-107BB
- подбор биполярного транзистора по параметрам
EMG1 Datasheet (PDF)
emg1.pdf

EMG1 / UMG1N / FMG1ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlineEMT5 UMT5Parameter Tr1 and Tr2(3) (5) (2) VCC (1) 50V(4) (1) (4) IC(MAX.) (2) 100mA(3) (5) R122kWEMG1 UMG1N R2(SC-107BB) 22kW SOT-353 (SC-88A) SMT5(1) lFeatures(2) 1) Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 22kW. (5) (4) (3) 2
emg1 umg1n fmg1a.pdf

EMG1 / UMG1N / FMG1A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMG1 / UMG1N / FMG1A External dimensions (Unit : mm) Features 1) Two DTC124E chips in a EMT or UMT or SMT EMG1package. ( ) ( )4 32 ( )(5) ( )11.2 Circuit schematic 1.6EMG1 / UMG1N FMG1A(3) (2) (1) (3) (4) (5)ROHM : EMT5 Each lead has same dimensionsR1 R1 R1 R1R2 R2 R2 R2(4
emg11 umg11n fmg11a.pdf

EMG11 / UMG11N / FMG11ATransistorsEmitter common (dual digital transistors)EMG11 / UMG11N / FMG11A External dimensions (Units : mm) Features1) Two DTA123Js chips in a EMT or UMT or SMTEMG11 package.(4) (3)( )2( ) ( )5 11.21.6 Equivalent circuitEach lead has same dimensionsEMG11 / UMG11N FMG11AROHM : EMT5(3) (2) (1) (3) (4) (5)R1 R1 R1 R1R2 R2 R2 R2U
emg11.pdf

EMG11 Dual N-Ch Digital Transistors (Built-in Resistors) Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-553 Two DTC123JCA chips in a package AEQUIVALENT CIRCUIT BJD G HF ECMillimeter MillimeterREF. REF. Min. Max. Min. Max.A 1.50 1.70 F 0.09 0.16B 1.50 1.70 G 0.45 0.55C 0.525 0.60 H 0.17
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: MP8535 | BFG520-X | BFG19S | ZTX107C | MJE13002G5 | KT685V
History: MP8535 | BFG520-X | BFG19S | ZTX107C | MJE13002G5 | KT685V



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor