2SA1021 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1021  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1021

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1021 даташит

 ..1. Size:146K  jmnic
2sa1021.pdfpdf_icon

2SA1021

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1021 DESCRIPTION With TO-126 package High breakdown voltage Large current capacity APPLICATIONS For color TV sound output;converters Inverters applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITI

 ..2. Size:199K  inchange semiconductor
2sa1021.pdfpdf_icon

2SA1021

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1021 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -150V (Min) (BR)CEO Complement to Type 2SC2481 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Color TV vertical deflection output applications. Color TV class B sound output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMB

 8.1. Size:172K  toshiba
2sa1020o 2sa1020y.pdfpdf_icon

2SA1021

2SA1020 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) 2SA1020 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low Collector saturation voltage VCE (sat) = -0.5 V (max) (IC = -1 A) High collector power dissipation PC = 900 mW High-speed switching tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SC2655 Absolute Maximum Ratings (Ta = 2

 8.2. Size:167K  toshiba
2sa1020.pdfpdf_icon

2SA1021

2SA1020 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) 2SA1020 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low Collector saturation voltage VCE (sat) = -0.5 V (max) (IC = -1 A) High collector power dissipation PC = 900 mW High-speed switching tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SC2655 Absolute Maximum Ratings (Ta = 2

Другие транзисторы: 2SA1016KH, 2SA1017, 2SA1018, 2SA1019, 2SA102, 2SA1020, 2SA1020O, 2SA1020Y, 2N3055, 2SA1022, 2SA1023, 2SA1024, 2SA1025, 2SA1026, 2SA1027, 2SA1028, 2SA1029