EMH10FHA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMH10FHA

Маркировка: H10

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: EMT6

 Аналоги (замена) для EMH10FHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMH10FHA даташит

 ..1. Size:1017K  rohm
 emh10fha umh10nfha.pdf pdf_icon

EMH10FHA

AEC-Q101 Qualified General purpose (dual digital transistors) EMH10 / UMH10N EMH10FHA / UMH10NFHA Structure Dimensions (Unit mm) Epitaxial planar type NPN silicon transistor EMH10FHA EMH10 (Built-in resistor type) (4) (3) (5) (2) (6) (1) Features 1.2 1.6 1) Two DTC123J chips in a EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machi

 9.1. Size:137K  philips
 pemh10 pumh10.pdf pdf_icon

EMH10FHA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PEMH10; PUMH10 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k , R2 = 47 k Product data sheet 2003 Oct 20 Supersedes data of 2001 Oct 22 NXP Semiconductors Product data sheet NPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10 R1 = 2.2 k , R2 = 47 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

 9.2. Size:112K  rohm
 emh10.pdf pdf_icon

EMH10FHA

General purpose (dual digital transistors) EMH10 / UMH10N Structure Dimensions (Unit mm) Epitaxial planar type NPN silicon transistor EMH10 (Built-in resistor type) (4) (3) (5) (2) (6) (1) Features 1.2 1.6 1) Two DTC123J chips in a EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eli

 9.3. Size:386K  htsemi
 emh10.pdf pdf_icon

EMH10FHA

EMH10 General purpose transistors (dual transistors) SOT-563 FEATURES Two DTC123J chips in a package Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. 1 Mounting cost and area be cut in half. Marking H10 Equivalent circuit Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Parameter Symbol Limits Unit Supply

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: EMG4, EMG5, EMG5DXV5T1, EMG6, EMG8, EMG9, EMH1, EMH10, A1941, EMH11, EMH11FHA, EMH15, EMH15FHA, EMH1FHA, EMH2, EMH25, EMH2FHA