Биполярный транзистор EMH10FHA Даташит. Аналоги
Наименование производителя: EMH10FHA
Маркировка: H10
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: EMT6
- подбор биполярного транзистора по параметрам
EMH10FHA Datasheet (PDF)
emh10fha umh10nfha.pdf

AEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual digital transistors) EMH10 / UMH10N EMH10FHA / UMH10NFHAStructure Dimensions (Unit : mm)Epitaxial planar type NPN silicon transistor EMH10FHAEMH10(Built-in resistor type)(4) (3)(5) (2)(6) (1)Features1.21.61) Two DTC123J chips in a EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machi
pemh10 pumh10.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH10; PUMH10NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2003 Oct 20Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10R1 = 2.2 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX.
emh10.pdf

General purpose (dual digital transistors) EMH10 / UMH10N Structure Dimensions (Unit : mm) Epitaxial planar type NPN silicon transistor EMH10(Built-in resistor type) (4) (3)(5) (2)(6) (1)Features1.21.61) Two DTC123J chips in a EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eli
emh10.pdf

EMH10 General purpose transistors (dual transistors)SOT-563 FEATURES Two DTC123J chips in a package Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. 1 Mounting cost and area be cut in half. Marking: H10 Equivalent circuit Absolute maximum ratings(Ta=25) Parameter Symbol Limits UnitSupply
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: PN4142 | SGSIF444 | SML7A12 | 2SC366GY | PN4140 | EMY1
History: PN4142 | SGSIF444 | SML7A12 | 2SC366GY | PN4140 | EMY1



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906