Справочник транзисторов. EMH10FHA

 

Биполярный транзистор EMH10FHA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMH10FHA
   Маркировка: H10
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: EMT6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

EMH10FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1017K  rohm
emh10fha umh10nfha.pdfpdf_icon

EMH10FHA

AEC-Q101 QualifiedGeneral purpose (dual digital transistors) EMH10 / UMH10N EMH10FHA / UMH10NFHAStructure Dimensions (Unit : mm)Epitaxial planar type NPN silicon transistor EMH10FHAEMH10(Built-in resistor type)(4) (3)(5) (2)(6) (1)Features1.21.61) Two DTC123J chips in a EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machi

 9.1. Size:137K  philips
pemh10 pumh10.pdfpdf_icon

EMH10FHA

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH10; PUMH10NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2003 Oct 20Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10R1 = 2.2 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

 9.2. Size:112K  rohm
emh10.pdfpdf_icon

EMH10FHA

General purpose (dual digital transistors) EMH10 / UMH10N Structure Dimensions (Unit : mm) Epitaxial planar type NPN silicon transistor EMH10(Built-in resistor type) (4) (3)(5) (2)(6) (1)Features1.21.61) Two DTC123J chips in a EMT or UMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eli

 9.3. Size:386K  htsemi
emh10.pdfpdf_icon

EMH10FHA

EMH10 General purpose transistors (dual transistors)SOT-563 FEATURES Two DTC123J chips in a package Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminating interference. 1 Mounting cost and area be cut in half. Marking: H10 Equivalent circuit Absolute maximum ratings(Ta=25) Parameter Symbol Limits UnitSupply

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | SML7A12 | 2SC366GY | PN4140 | EMY1

 

 
Back to Top

 


 
.