Биполярный транзистор EMH4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: EMH4
Маркировка: H4
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SC-107C
EMH4 Datasheet (PDF)
emh4 umh4n imh4a.pdf
EMH4 / UMH4N / IMH4A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMH4 / UMH4N / IMH4A External dimensions (Unit : mm) Features1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMTEMH4package.( ) ( )4 3(5) (2)(6) ( )1 Equivalent circuits1.21pin mark1.6EMH4 / UMH4NIMH4A(3) (2) (1) (4) (5) (6)R1R1ROHM : EMT6 Each lead has same dimensionsR1R1
emh4.pdf
EMH4 / UMH4N / IMH4ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCEO50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R110kWEMH4 UMH4N (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4) (5) lFeatures (6) (3) 1) Built-In Biasing Resistors. (2)
emh4.pdf
EMH4 digital transistor (NPN+ NPN)SOT-563 FEATURES Two DTC114T chips in a package Transistor elements are independent, eliminating interference 1 Mounting cost and area can be cut in half. External circuit MARKING: H4 Absolute maximum ratings (Ta=25) Parameter Symbol Limits UnitCollector-base voltage V(BR)CBO 50 VCollector-emitter voltage V(BR)CEO 50 VEmitte
pemh4 pumh4.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH4; PUMH4NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = openProduct data sheet 2004 Apr 14Supersedes data of 2003 Oct 02NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH4; PUMH4R1 = 10 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
emh4fha umh4nfha imh4afra.pdf
EMH4 / UMH4N / IMH4AEMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCEO50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R110kWEMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4)
emh4fha umh4nfha.pdf
EMH4 / UMH4N / IMH4AEMH4FHA / UMH4NFHA / IMH4AFRADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCEO50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R110kWEMH4 UMH4N EMH4FHA UMH4NFHA(SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6(4)
chemh4gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHEMH4GPSURFACE MOUNTDual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 100 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SOT-563)SOT-563* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capabili
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
