EMH59 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMH59

Маркировка: H59

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH59

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMH59 даташит

 ..1. Size:687K  rohm
 emh59.pdf pdf_icon

EMH59

EMH59 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k EMH59 R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTC014Y chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminating

Другие транзисторы: EMH2FHA, EMH3, EMH3FHA, EMH4, EMH4FHA, EMH51, EMH52, EMH53, B772, EMH6, EMH60, EMH61, EMH6FHA, EMH75, EMH9, EMH9FHA, EML17