Справочник транзисторов. EMH60

 

Биполярный транзистор EMH60 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: EMH60
   Маркировка: H60
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH60

 

 

EMH60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:682K  rohm
emh60.pdf

EMH60
EMH60

EMH60DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter DTr1 and DTr2 EMT6VCC50VIC(MAX.)100mA R12.2kEMH60R2 (SC-107C) 47k lFeatures lInner circuitl l1) Two DTC023J chips in a EMT6 package.2) Transister elements are independent, eliminating

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top