EMH61 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMH61

Маркировка: H61

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH61

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMH61 даташит

 ..1. Size:675K  rohm
 emh61.pdf pdf_icon

EMH61

EMH61 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC 50V IC(MAX.) 100mA R1 10k EMH61 R2 (SC-107C) 10k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTC014E chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminating

Другие транзисторы: EMH4, EMH4FHA, EMH51, EMH52, EMH53, EMH59, EMH6, EMH60, TIP35C, EMH6FHA, EMH75, EMH9, EMH9FHA, EML17, EML20, FA4A3Q, FA4A4L