Справочник транзисторов. EMH9FHA

 

Биполярный транзистор EMH9FHA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMH9FHA
   Маркировка: H9
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SC-107C
 

 Аналог (замена) для EMH9FHA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMH9FHA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1291K  rohm
emh9fha umh9nfha.pdfpdf_icon

EMH9FHA

EMH9FHA / UMH9NFHA / IMH9AFRAEMH9 / UMH9N / IMH9ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCC50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R110kWEMH9FHA UMH9NFHAEMH9 UMH9N R247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6

 ..2. Size:1335K  rohm
emh9fha umh9nfha imh9afra.pdfpdf_icon

EMH9FHA

EMH9FHA / UMH9NFHA / IMH9AFRAEMH9 / UMH9N / IMH9ADatasheetNPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)AEC-Q101 QualifiedlOutlineEMT6 UMT6Parameter Tr1 and Tr2(6) (6) (5) (5) VCC50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.)100mA (3) (3) R110kWEMH9FHA UMH9NFHAEMH9 UMH9N R247kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6

Другие транзисторы... EMH53 , EMH59 , EMH6 , EMH60 , EMH61 , EMH6FHA , EMH75 , EMH9 , 2SD2499 , EML17 , EML20 , FA4A3Q , FA4A4L , FA4A4M , FA4A4P , FA4A4Z , FA4F3M .

History: 2SD1277A

 

 
Back to Top

 


 
.