EMH9FHA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMH9FHA

Маркировка: H9

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMH9FHA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMH9FHA даташит

 ..1. Size:1291K  rohm
 emh9fha umh9nfha.pdf pdf_icon

EMH9FHA

EMH9FHA / UMH9NFHA / IMH9AFRA EMH9 / UMH9N / IMH9A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC 50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMH9FHA UMH9NFHA EMH9 UMH9N R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6

 ..2. Size:1335K  rohm
 emh9fha umh9nfha imh9afra.pdf pdf_icon

EMH9FHA

EMH9FHA / UMH9NFHA / IMH9AFRA EMH9 / UMH9N / IMH9A Datasheet NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) AEC-Q101 Qualified lOutline EMT6 UMT6 Parameter Tr1 and Tr2 (6) (6) (5) (5) VCC 50V (4) (4) (1) (1) (2) (2) IC(MAX.) 100mA (3) (3) R1 10kW EMH9FHA UMH9NFHA EMH9 UMH9N R2 47kW (SC-107C) SOT-353 (SC-88) SMT6

Другие транзисторы: EMH53, EMH59, EMH6, EMH60, EMH61, EMH6FHA, EMH75, EMH9, TIP31, EML17, EML20, FA4A3Q, FA4A4L, FA4A4M, FA4A4P, FA4A4Z, FA4F3M