FA4F4Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FA4F4Z

Маркировка: AM1

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: SC-59

 Аналоги (замена) для FA4F4Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FA4F4Z даташит

 ..1. Size:514K  renesas
 fa4a3q fa4a4l fa4a4m fa4a4p fa4a4z fa4f3m fa4f3p fa4f3r fa4f4m fa4f4n fa4f4z fa4l3m fa4l3n fa4l3z fa4l4k fa4l4l fa4l4m fa4l4z.pdf pdf_icon

FA4F4Z

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие транзисторы: FA4A4M, FA4A4P, FA4A4Z, FA4F3M, FA4F3P, FA4F3R, FA4F4M, FA4F4N, S9013, FA4L3M, FA4L3N, FA4L3Z, FA4L4K, FA4L4L, FA4L4M, FA4L4Z, FB1A3M