FP1L3N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FP1L3N

Маркировка: S34_S35

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23-3

 Аналоги (замена) для FP1L3N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FP1L3N даташит

 ..1. Size:262K  renesas
 fp1a3m fp1a4a fp1a4m fp1f3p fp1j3p fp1l2q fp1l3n.pdf pdf_icon

FP1L3N

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие транзисторы: FN4L4M, FN4L4Z, FP1A3M, FP1A4A, FP1A4M, FP1F3P, FP1J3P, FP1L2Q, TIP41C, GA4A3Q, GA4A4L, GA4A4M, GA4A4P, GA4A4Z, GA4F3M, GA4F3P, GA4F3R