HE1A4A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HE1A4A

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для HE1A4A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HE1A4A даташит

 ..1. Size:437K  renesas
 he1a4a.pdf pdf_icon

HE1A4A

2010 4 1 NEC

Другие транзисторы: HD1L3N, HD2A3M, HD2A4A, HD2A4M, HD2F2Q, HD2F3P, HD2L2Q, HD2L3N, 2SD669, LDTA113TKT1G, LDTA113ZET1G, LDTA114EM3T5G, LDTA114GET1G, LDTA114TM3T5G, LDTA114WET1G, LDTA114YM3T5G, LDTA115EM3T5G