Справочник транзисторов. LDTC113ZET1G

 

Биполярный транзистор LDTC113ZET1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LDTC113ZET1G
   Маркировка: N7
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: SC-89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

LDTC113ZET1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  lrc
ldtc113zet1g.pdfpdf_icon

LDTC113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount Transistorwith Monolithic Bias Resistor NetworkLDTC113ZET1G Applications S-LDTC113ZET1GInverter, Interface, Driver Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 3resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resi

 8.1. Size:420K  lrc
ldtc114wet1g.pdfpdf_icon

LDTC113ZET1G

 8.2. Size:325K  lrc
ldtc114get1g.pdfpdf_icon

LDTC113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorNPN Silicon Surface Mount TransistorLDTC114GET1Gwith Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1resistors (see equivalent circuit). 22) The bias resistors consist

 8.3. Size:467K  lrc
ldtc114em3t5g.pdfpdf_icon

LDTC113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Bias Resistor TransistorsNPN Silicon Surface Mount TransistorsLDTC114EM3T5GWith Monolithic Bias Resistor NetworkSeriesThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor3Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias networkconsisting of two resi

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: DTC123YS3 | DTL3512 | A950 | BD354C | KSB795 | 8550M | AM0912-150

 

 
Back to Top

 


 
.