LDTC113ZET1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LDTC113ZET1G

Маркировка: N7

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: SC-89

 Аналоги (замена) для LDTC113ZET1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LDTC113ZET1G даташит

 ..1. Size:272K  lrc
 ldtc113zet1g.pdf pdf_icon

LDTC113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network LDTC113ZET1G Applications S-LDTC113ZET1G Inverter, Interface, Driver Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 3 resistors (see equivalent circuit). 2) The bias resi

 8.1. Size:420K  lrc
 ldtc114wet1g.pdf pdf_icon

LDTC113ZET1G

 8.2. Size:325K  lrc
 ldtc114get1g.pdf pdf_icon

LDTC113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor LDTC114GET1G with Monolithic Bias Resistor Network Applications Inverter, Interface, Driver 3 Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input 1 resistors (see equivalent circuit). 2 2) The bias resistors consist

 8.3. Size:467K  lrc
 ldtc114em3t5g.pdf pdf_icon

LDTC113ZET1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors LDTC114EM3T5G With Monolithic Bias Resistor Network Series This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor 3 Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: LDTB114GKT1G, LDTB114TKT1G, LDTB123EET1G, LDTB123TET1G, LDTB123YET1G, LDTB143EET1G, LDTB143TKT1G, LDTBG12GPT1G, A1015, LDTC114EET1G, LDTC114EM3T5G, LDTC114GET1G, LDTC114TET1G, LDTC114TM3T5G, LDTC114WET1G, LDTC114YET1G, LDTC114YM3T5G