Биполярный транзистор LUMF23NDW1T1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LUMF23NDW1T1G
Маркировка: F23
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SC-88
Аналог (замена) для LUMF23NDW1T1G
LUMF23NDW1T1G Datasheet (PDF)
lumf23ndw1t1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power Management(dual transistors)LUMF23NDW1T1G Application S-LUMF23NDW1T1GPower management circuit 654 Features 1) Power switching circuit in a single package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. 123) We declare that the material of product 3 compliance with RoHS requirements.SC-883) S- Prefix for Automotive and Other Applic
Другие транзисторы... LMUN5235DW1T1G , LMUN5235T1G , LMUN5236DW1T1G , LMUN5237DW1T1G , LMUN5237T1G , LRX102UT1G , LUMA5NT1G , LUMC3NT1G , 13005 , LUMG10NT1G , LUMG2NT1G , LUMG3NT1G , EMA8 , KSR1201 , KSR1202 , KSR1203 , KSR1204 .
History: KT306G | CSB1086B



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220