Биполярный транзистор LUMF23NDW1T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: LUMF23NDW1T1G
Маркировка: F23
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SC-88
Аналоги (замена) для LUMF23NDW1T1G
LUMF23NDW1T1G Datasheet (PDF)
..1. Size:232K lrc
lumf23ndw1t1g.pdf
lumf23ndw1t1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power Management(dual transistors)LUMF23NDW1T1G Application S-LUMF23NDW1T1GPower management circuit 654 Features 1) Power switching circuit in a single package. 2) Mounting cost and area can be cut in half. 123) We declare that the material of product 3 compliance with RoHS requirements.SC-883) S- Prefix for Automotive and Other Applic
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ