KSR2201. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSR2201

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для KSR2201

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR2201 даташит

 ..1. Size:40K  samsung
 ksr2201.pdf pdf_icon

KSR2201

KSR2201 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =4.7, R2=4.7 ) Complement to KSR1201 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Ba

 8.1. Size:40K  samsung
 ksr2204.pdf pdf_icon

KSR2201

KSR2204 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =47, R2=47 ) Complement to KSR1204 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base

 8.2. Size:39K  samsung
 ksr2207.pdf pdf_icon

KSR2201

KSR2207 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit TO-92S Built in bias Resistor (R1=22, R2=47 ) Complement to KSR1207 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base V

 8.3. Size:39K  samsung
 ksr2206.pdf pdf_icon

KSR2201

KSR2206 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92S Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1 =10, R2=47 ) Complement to KSR1206 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSR1207, KSR1208, KSR1209, KSR1210, KSR1211, KSR1212, KSR1213, KSR1214, BC556, KSR2202, KSR2203, KSR2204, KSR2205, KSR2206, KSR2207, KSR2208, KSR2209