Биполярный транзистор M54513P Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: M54513P
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 13.6 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.15
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: 18P4G
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам