Биполярный транзистор PBRN123ES - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBRN123ES
Маркировка: N123ES
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT-54
Аналоги (замена) для PBRN123ES
PBRN123ES Datasheet (PDF)
pbrn123es pbrn123e pbrn123ek.pdf
PBRN123E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236P
pbrn123e.pdf
PBRN123E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236P
pbrn123ys pbrn123y pbrn123yk.pdf
PBRN123Y seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 10 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236PB
pbrn123y.pdf
PBRN123Y seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 10 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236PB
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
