Биполярный транзистор PBRN123ES - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBRN123ES
Маркировка: N123ES
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT-54
Аналоги (замена) для PBRN123ES
PBRN123ES Datasheet (PDF)
pbrn123es pbrn123e pbrn123ek.pdf
PBRN123E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236P
pbrn123e.pdf
PBRN123E seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123EK SOT346 SC-59A TO-236P
pbrn123ys pbrn123y pbrn123yk.pdf
PBRN123Y seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 10 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236PB
pbrn123y.pdf
PBRN123Y seriesNPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 10 kRev. 01 27 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-EquippedTransistors (RET) family in small plastic packages.Table 1. Product overviewType number PackageNXP JEITA JEDECPBRN123YK SOT346 SC-59A TO-236PB
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050