PDTC115TK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PDTC115TK
Маркировка: 28
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 4.5
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-346
Аналоги (замена) для PDTC115TK
PDTC115TK Datasheet (PDF)
pdtc115tk pdtc115ts.pdf
PDTC115T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = open Rev. 04 17 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN resistor-equipped transistors. Table 1 Product overview Type number Package PNP complement Philips JEITA PDTC115TE SOT416 SC-75 PDTA115TE PDTC115TK SOT346 SC-59A PDTA115TK PDTC115TM SOT883 SC-101 PDTA115TM [1] PD
pdtc115t ser.pdf
PDTC115T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = open Rev. 04 17 February 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN resistor-equipped transistors. Table 1 Product overview Type number Package PNP complement Philips JEITA PDTC115TE SOT416 SC-75 PDTA115TE PDTC115TK SOT346 SC-59A PDTA115TK PDTC115TM SOT883 SC-101 PDTA115TM [1] PD
pdtc115e series.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI
pdtc115eef pdtc115ek pdtc115es.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k , R2 = 100 k Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC115E series R1 = 100 k , R2 = 100 k FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNI
Другие транзисторы... PDTA144WEF , PDTA144WK , PDTA144WS , PDTC114TK , PDTC114TS , PDTC115EEF , PDTC115EK , PDTC115ES , 8550 , PDTC115TS , PDTC123EEF , PDTC123EK , PDTC123ES , PDTC123TK , PDTC123TS , PDTC123YK , PDTC123YS .
History: 2SB371M | 2SB368H
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay