Справочник транзисторов. PDTC123TS

 

Биполярный транзистор PDTC123TS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC123TS
   Маркировка: TC123T
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT-54
 

 Аналог (замена) для PDTC123TS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC123TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  philips
pdtc123tk pdtc123ts pdtc123t ser.pdfpdf_icon

PDTC123TS

PDTC123T seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = openRev. 01 10 March 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family in Surface Mounted Device (SMD)plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementPhilips JEITA JEDECPDTC123TE SOT416 SC-75 - PDTA123TEPDTC123TK

 7.1. Size:54K  motorola
pdtc123jef 1.pdfpdf_icon

PDTC123TS

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D425PDTC123JEFNPN resistor-equipped transistor1999 May 27Preliminary specificationPhilips Semiconductors Preliminary specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 k and 47 krespectively)3handbook, halfpage3 Simplification of circuit designR11 Red

 7.2. Size:55K  motorola
pdtc123je 3.pdfpdf_icon

PDTC123TS

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC123JENPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 Aug 03Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 and 47 krespectively) Simplification of circuit designhandbook, halfpage33

 7.3. Size:56K  motorola
pdtc123jt 3.pdfpdf_icon

PDTC123TS

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC123JTNPN resistor-equipped transistor1999 May 18Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC123JTFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 2.2 k and 47 krespectively) Simplification of circuit design

Другие транзисторы... PDTC115EK , PDTC115ES , PDTC115TK , PDTC115TS , PDTC123EEF , PDTC123EK , PDTC123ES , PDTC123TK , 2N4401 , PDTC123YK , PDTC123YS , PDTC124TEF , PDTC124TK , PDTC124TS , PDTC124XEF , PDTC124XK , PDTC124XS .

History: TSA1036CX | T2491 | MMS8550-L | 2SC4156 | BUT15 | CHDTB114TKGP | TA1939

 

 
Back to Top

 


 
.