Справочник транзисторов. PDTD113EK

 

Биполярный транзистор PDTD113EK Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTD113EK
   Маркировка: E1
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 1 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 33
   Корпус транзистора: SOT-346
 

 Аналог (замена) для PDTD113EK

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTD113EK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  nxp
 pdtd113ek pdtd113es.pdf pdf_icon

PDTD113EK

PDTD113E seriesNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EKPDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 6.1. Size:123K  philips
 pdtd113e ser.pdf pdf_icon

PDTD113EK

PDTD113E seriesNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors;R1 = 1 k, R2 = 1 kRev. 02 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTD113EK SOT346 SC-59A TO-236 PDTB113EKPDTD113ES[1] SOT54 SC-43A TO-92 PDT

 7.1. Size:64K  philips
 pdtd113zt.pdf pdf_icon

PDTD113EK

PDTD113ZTNPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor;R1 = 1 k, R2 = 10 kRev. 02 23 March 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN 500 mA Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.PNP complement: PDTB113ZT.1.2 Features Built-in bias resistors Reduces component count Simplifies circuit des

 8.1. Size:49K  motorola
 pdtd114et 4.pdf pdf_icon

PDTD113EK

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D088PDTD114ETNPN resistor-equipped transistor1997 Sep 02Objective specificationSupersedes data of February 1995File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Objective specificationNPN resistor-equipped transistor PDTD114ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each)3handboo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTC144TEF , PDTC144TK , PDTC144TS , PDTC144VK , PDTC144VS , PDTC144WEF , PDTC144WK , PDTC144WS , D667 , PDTD113ES , PDTD123EK , PDTD123ES , PDTD123TK , PDTD123TS , PDTD123YK , PDTD123YS , RT1N130C .

History: AD136-5 | D44T1

 

 
Back to Top

 


 
.