RT1N136S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RT1N136S  📄📄 

Маркировка: N136

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 1 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 33

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для RT1N136S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT1N136S даташит

 ..1. Size:146K  isahaya
 rt1n136c rt1n136m rt1n136s rt1n136u.pdf pdf_icon

RT1N136S

Transistor RT1N136X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1N136X is a one chip transistor RT1N136C with built-in bias resistor,PNP type is RT1P136X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=1k ,R2=10k ). APPLICATION Inverted circuit,switchi

 8.1. Size:139K  isahaya
 rt1n137p.pdf pdf_icon

RT1N136S

ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION http //www.idc-com.co.jp 6-41, TSUKUBA, ISAHAYA, NAGASAKI, 854-0065, JAPAN Keep safety in your circuit designs ! Isahaya Electronics Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with

 8.2. Size:465K  isahaya
 rt1n137s.pdf pdf_icon

RT1N136S

RT1N137S Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm 4.0 RT1N137S is a one chip transistor with built-in bias resistor, NPN type is RT1P137S. FEATURE 0.1 Built-in bias resistor R =1k , R =22k 1 2 High collector current Ic=1A 0.45 Low VCE(sat) VCE(sat)=0.3V (@Ic=300mA/IB=3mA) 2.5

 8.3. Size:126K  isahaya
 rt1n130c rt1n130m rt1n130s rt1n130u.pdf pdf_icon

RT1N136S

Transistor RT1N130X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1N130X is a one chip transistor RT1N130C with built-in bias resistor,PNP type is RT1P130X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=1k ). APPLICATION Inverted circuit,switching circui

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTD123YK, PDTD123YS, RT1N130C, RT1N130M, RT1N130S, RT1N130U, RT1N136C, RT1N136M, D667, RT1N136U, RT1N137P, RT1N137S, RT1N140C, RT1N140M, RT1N140S, RT1N140U, RT1N141C