RT1N434C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RT1N434C

Маркировка: N4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SC-59

 Аналоги (замена) для RT1N434C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT1N434C даташит

 ..1. Size:141K  isahaya
 rt1n434c rt1n434m rt1n434s rt1n434u.pdf pdf_icon

RT1N434C

Transistor RT1N434X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1N434X is a one chip transistor RT1N434C with built-in bias resistor,PNP type is RT1P434X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ,R2=22k ). APPLICATION Inverted circuit,switc

 8.1. Size:168K  isahaya
 rt1n436c rt1n436m rt1n436s rt1n436u.pdf pdf_icon

RT1N434C

Transistor RT1N436X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1N436X is a one chip transistor RT1N436C with built-in bias resistor,PNP type is RT1P436X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ,R2=47k ). APPLICATION Inverted circuit,switc

 8.2. Size:153K  isahaya
 rt1n431c rt1n431m rt1n431s rt1n431u.pdf pdf_icon

RT1N434C

Transistor RT1N431X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1N431X is a one chip transistor RT1N431C with built-in bias resistor,PNP type is RT1P431X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ,R2=4.7k ). APPLICATION Inverted circuit,swit

 8.3. Size:126K  isahaya
 rt1n430c rt1n430m rt1n430s rt1n430u.pdf pdf_icon

RT1N434C

Transistor RT1N430X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNIT mm RT1N430X is a one chip transistor RT1N430C with built-in bias resistor, PNP type is RT1P430X. 2.8 0.65 1.5 0.65 FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k ) APPLICATION Inverted circuit, switching cir

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RT1N431C, RT1N431M, RT1N431S, RT1N431U, RT1N432C, RT1N432M, RT1N432S, RT1N432U, 2SD669, RT1N434M, RT1N434S, RT1N434U, RT1N436C, RT1N436M, RT1N436S, RT1N436U, RT1N440C