Справочник транзисторов. RT1N436S

 

Биполярный транзистор RT1N436S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT1N436S
   Маркировка: N436
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO92S
 

 Аналог (замена) для RT1N436S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT1N436S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  isahaya
 rt1n436c rt1n436m rt1n436s rt1n436u.pdf pdf_icon

RT1N436S

TransistorRT1N436X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNITmmRT1N436X is a one chip transistor RT1N436C with built-in bias resistor,PNP type is RT1P436X. 2.80.65 1.5 0.65FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k,R2=47k). APPLICATION Inverted circuit,switc

 8.1. Size:141K  isahaya
 rt1n434c rt1n434m rt1n434s rt1n434u.pdf pdf_icon

RT1N436S

TransistorRT1N434X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNITmmRT1N434X is a one chip transistor RT1N434C with built-in bias resistor,PNP type is RT1P434X. 2.80.65 1.5 0.65FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k,R2=22k). APPLICATION Inverted circuit,switc

 8.2. Size:153K  isahaya
 rt1n431c rt1n431m rt1n431s rt1n431u.pdf pdf_icon

RT1N436S

TransistorRT1N431X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNITmmRT1N431X is a one chip transistor RT1N431C with built-in bias resistor,PNP type is RT1P431X. 2.80.65 1.5 0.65FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k,R2=4.7k). APPLICATION Inverted circuit,swit

 8.3. Size:126K  isahaya
 rt1n430c rt1n430m rt1n430s rt1n430u.pdf pdf_icon

RT1N436S

TransistorRT1N430X SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING DESCRIPTION UNITmmRT1N430X is a one chip transistor RT1N430C with built-in bias resistor, PNP type is RT1P430X. 2.80.65 1.5 0.65FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k) APPLICATION Inverted circuit, switching cir

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... RT1N432S , RT1N432U , RT1N434C , RT1N434M , RT1N434S , RT1N434U , RT1N436C , RT1N436M , B647 , RT1N436U , RT1N440C , RT1N440M , RT1N440S , RT1N440U , RT1N441C , RT1N441M , RT1N441S .

History: 2N166

 

 
Back to Top

 


 
.