Справочник транзисторов. RT2N03M

 

Биполярный транзистор RT2N03M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT2N03M
   Маркировка: N1
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SC-88A
 

 Аналог (замена) для RT2N03M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT2N03M Datasheet (PDF)

 9.1. Size:190K  isahaya
 rt2n09m.pdf pdf_icon

RT2N03M

RT2N09M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N09M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte

 9.2. Size:202K  isahaya
 rt2n04m.pdf pdf_icon

RT2N03M

RT2N04M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N04M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=22k, R2=22k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

 9.3. Size:190K  isahaya
 rt2n02m.pdf pdf_icon

RT2N03M

RT2N02M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N02M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k, R2=4.7k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Int

 9.4. Size:195K  isahaya
 rt2n08m.pdf pdf_icon

RT2N03M

RT2N08M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N08M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=2.2k, R2=10k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... RT1P44HS , RT1P44HU , RT1P44QC , RT1P44QM , RT1P44QS , RT1P44QU , RT2N01M , RT2N02M , BC557 , RT2N04M , RT2N05M , RT2N06M , RT2N07M , RT2N08M , RT2N09M , RT2N10M , RT2N11M .

History: FN1F4M | NSBC144WDP6 | 2SC752 | TSC5304EDCH | GES5551R

 

 
Back to Top

 


 
.