Справочник транзисторов. RT2N11M

 

Биполярный транзистор RT2N11M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT2N11M
   Маркировка: N4
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SC-88A
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RT2N11M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  isahaya
 rt2n11m.pdf pdf_icon

RT2N11M

RT2N11M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N11M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k, R2=22k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte

 9.1. Size:166K  isahaya
 rt2n13m.pdf pdf_icon

RT2N11M

RT2N13M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N13M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k, R2=4.7k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte

 9.2. Size:165K  isahaya
 rt2n17m.pdf pdf_icon

RT2N11M

RT2N17M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N17M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=47k, R2=22k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

 9.3. Size:207K  isahaya
 rt2n14m.pdf pdf_icon

RT2N11M

RT2N14M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N14M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k, R2=47k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: ZTX503L | KT940V-5 | LBC850BLT1G | BUL54BFI | 2N3509CSM | 2N926 | DTA114YET1G

 

 
Back to Top

 


 
.