RT2N11M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RT2N11M  📄📄 

Маркировка: N4

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SC-88A

 Аналоги (замена) для RT2N11M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT2N11M даташит

 ..1. Size:165K  isahaya
 rt2n11m.pdf pdf_icon

RT2N11M

RT2N11M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2N11M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k , R2=22k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte

 9.1. Size:166K  isahaya
 rt2n13m.pdf pdf_icon

RT2N11M

RT2N13M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2N13M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k , R2=4.7k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte

 9.2. Size:165K  isahaya
 rt2n17m.pdf pdf_icon

RT2N11M

RT2N17M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2N17M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=47k , R2=22k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

 9.3. Size:207K  isahaya
 rt2n14m.pdf pdf_icon

RT2N11M

RT2N14M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2N14M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k , R2=47k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RT2N03M, RT2N04M, RT2N05M, RT2N06M, RT2N07M, RT2N08M, RT2N09M, RT2N10M, BC327, RT2N12M, RT2N13M, RT2N14M, RT2N15M, RT2N16M, RT2N17M, RT2N18M, RT2N19M