Справочник транзисторов. RT2N19M

 

Биполярный транзистор RT2N19M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT2N19M
   Маркировка: NL
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88A
 

 Аналог (замена) для RT2N19M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT2N19M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  isahaya
rt2n19m.pdfpdf_icon

RT2N19M

RT2N19M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N19M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=2.2k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.1. Size:166K  isahaya
rt2n13m.pdfpdf_icon

RT2N19M

RT2N13M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N13M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k, R2=4.7k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte

 9.2. Size:165K  isahaya
rt2n17m.pdfpdf_icon

RT2N19M

RT2N17M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N17M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=47k, R2=22k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

 9.3. Size:207K  isahaya
rt2n14m.pdfpdf_icon

RT2N19M

RT2N14M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N14M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k, R2=47k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

Другие транзисторы... RT2N11M , RT2N12M , RT2N13M , RT2N14M , RT2N15M , RT2N16M , RT2N17M , RT2N18M , S8550 , RT2N20M , RT2N21M , RT2N22M , RT2N23M , RT2N24M , RT2N25M , RT2N26M , RT2N27M .

History: GES4143 | KSC2874

 

 
Back to Top

 


 
.