Справочник транзисторов. RT2N23M

 

Биполярный транзистор RT2N23M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT2N23M
   Маркировка: NR
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88A
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RT2N23M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  isahaya
 rt2n23m.pdf pdf_icon

RT2N23M

RT2N23M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N23M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=47k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circui

 9.1. Size:164K  isahaya
 rt2n24m.pdf pdf_icon

RT2N23M

RT2N24M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N24M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=100k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.2. Size:163K  isahaya
 rt2n25m.pdf pdf_icon

RT2N23M

RT2N25M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N25M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=200k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.3. Size:163K  isahaya
 rt2n26m.pdf pdf_icon

RT2N23M

RT2N26M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N26M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R2=10k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circui

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SB507F | D45VH4 | HI112 | AF275 | BC817-40 | PBSS305ND | BU508DF

 

 
Back to Top

 


 
.