Справочник транзисторов. RT2N26M

 

Биполярный транзистор RT2N26M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT2N26M
   Маркировка: NU
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SC-88A
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RT2N26M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  isahaya
 rt2n26m.pdf pdf_icon

RT2N26M

RT2N26M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N26M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R2=10k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circui

 9.1. Size:164K  isahaya
 rt2n24m.pdf pdf_icon

RT2N26M

RT2N24M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N24M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=100k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.2. Size:163K  isahaya
 rt2n25m.pdf pdf_icon

RT2N26M

RT2N25M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N25M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=200k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.3. Size:164K  isahaya
 rt2n20m.pdf pdf_icon

RT2N26M

RT2N20M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT2N20M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2N6364 | ZDT1049 | 2SC3110

 

 
Back to Top

 


 
.