RT2N65M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT2N65M

Маркировка: N65

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: SC-88A

 Аналоги (замена) для RT2N65M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT2N65M даташит

 ..1. Size:113K  isahaya
 rt2n65m.pdf pdf_icon

RT2N65M

 9.1. Size:127K  isahaya
 rt2n62m.pdf pdf_icon

RT2N65M

 9.2. Size:136K  isahaya
 rt2n63m.pdf pdf_icon

RT2N65M

Другие транзисторы: RT2N24M, RT2N25M, RT2N26M, RT2N27M, RT2N28M, RT2N29M, RT2N62M, RT2N63M, 8550, RT2P01M, RT2P02M, RT2P03M, RT2P04M, RT2P05M, RT2P06M, RT2P07M, RT2P08M