RT2P10M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT2P10M

Маркировка: PG

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC-88A

 Аналоги (замена) для RT2P10M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT2P10M даташит

 ..1. Size:166K  isahaya
 rt2p10m.pdf pdf_icon

RT2P10M

RT2P10M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P10M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k , R2=10k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte

 9.1. Size:165K  isahaya
 rt2p16m.pdf pdf_icon

RT2P10M

RT2P16M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P16M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=47k , R2=10k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

 9.2. Size:201K  isahaya
 rt2p14m.pdf pdf_icon

RT2P10M

RT2P14M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P14M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=10k , R2=47k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inter

 9.3. Size:205K  isahaya
 rt2p12m.pdf pdf_icon

RT2P10M

RT2P12M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P12M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=4.7k , R2=47k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Inte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RT2P02M, RT2P03M, RT2P04M, RT2P05M, RT2P06M, RT2P07M, RT2P08M, RT2P09M, 13005, RT2P11M, RT2P12M, RT2P13M, RT2P14M, RT2P15M, RT2P16M, RT2P17M, RT2P18M