RT2P29M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT2P29M

Маркировка: PX

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SC-88A

 Аналоги (замена) для RT2P29M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT2P29M даташит

 ..1. Size:169K  isahaya
 rt2p29m.pdf pdf_icon

RT2P29M

RT2P29M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P29M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R2=100k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.1. Size:165K  isahaya
 rt2p25m.pdf pdf_icon

RT2P29M

RT2P25M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P25M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R1=200k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circu

 9.2. Size:164K  isahaya
 rt2p26m.pdf pdf_icon

RT2P29M

RT2P26M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P26M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R2=10k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circui

 9.3. Size:170K  isahaya
 rt2p27m.pdf pdf_icon

RT2P29M

RT2P27M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT2P27M is composite transistor with built-in 1.25 bias resistor. FEATURE Built-in bias resistor (R2=22k ) Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, Switching circuit, Interface circui

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RT2P19M, RT2P20M, RT2P22M, RT2P24M, RT2P25M, RT2P26M, RT2P27M, RT2P28M, TIP142, RT3N11M, RT3N22M, RT3N33M, RT3N44M, RT3N55M, RT3N66M, RT3N77M, RT3NAAM