Справочник транзисторов. RT3N55M

 

Биполярный транзистор RT3N55M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3N55M
   Маркировка: N55
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3N55M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3N55M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  isahaya
 rt3n55m.pdf pdf_icon

RT3N55M

RT3N55M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3N55M is composite transistor built with two 1.25 RT1N144 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы... RT2P26M , RT2P27M , RT2P28M , RT2P29M , RT3N11M , RT3N22M , RT3N33M , RT3N44M , 2SD1555 , RT3N66M , RT3N77M , RT3NAAM , RT3NBBM , RT3NCCM , RT3NDDM , RT3NEEM , RT3NFFM .

History: PO38 | BDX62 | KTC4468 | ECG199 | H1674 | BD401

 

 
Back to Top

 


 
.