RT3N55M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3N55M

Маркировка: N55

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3N55M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3N55M даташит

 ..1. Size:231K  isahaya
 rt3n55m.pdf pdf_icon

RT3N55M

RT3N55M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT3N55M is composite transistor built with two 1.25 RT1N144 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы: RT2P26M, RT2P27M, RT2P28M, RT2P29M, RT3N11M, RT3N22M, RT3N33M, RT3N44M, S9018, RT3N66M, RT3N77M, RT3NAAM, RT3NBBM, RT3NCCM, RT3NDDM, RT3NEEM, RT3NFFM