Справочник транзисторов. RT3NDDM

 

Биполярный транзистор RT3NDDM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3NDDM
   Маркировка: NDD
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3NDDM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NDDM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  isahaya
 rt3nddm.pdf pdf_icon

RT3NDDM

RT3NDDM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3NDDM is composite transistor built with two 1.25 RT1N237 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы... RT3N33M , RT3N44M , RT3N55M , RT3N66M , RT3N77M , RT3NAAM , RT3NBBM , RT3NCCM , 2SD882 , RT3NEEM , RT3NFFM , RT3NGGM , RT3NHHM , RT3NJJM , RT3NKKM , RT3NLLM , RT3NMMM .

 

 
Back to Top

 


 
.