RT3NGGM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3NGGM

Маркировка: NGG

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3NGGM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NGGM даташит

 ..1. Size:216K  isahaya
 rt3nggm.pdf pdf_icon

RT3NGGM

RT3NGGM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT3NGGM is composite transistor built with two 1.25 RT1N432 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы: RT3N66M, RT3N77M, RT3NAAM, RT3NBBM, RT3NCCM, RT3NDDM, RT3NEEM, RT3NFFM, BD333, RT3NHHM, RT3NJJM, RT3NKKM, RT3NLLM, RT3NMMM, RT3NNNM, RT3NPPM, RT3NQQM