Справочник транзисторов. RT3NJJM

 

Биполярный транзистор RT3NJJM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3NJJM
   Маркировка: NJJ
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 24
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3NJJM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NJJM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  isahaya
rt3njjm.pdfpdf_icon

RT3NJJM

RT3NJJM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3NJJM is composite transistor built with two 1.25 RT1N14H chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы... RT3NAAM , RT3NBBM , RT3NCCM , RT3NDDM , RT3NEEM , RT3NFFM , RT3NGGM , RT3NHHM , 2SC5200 , RT3NKKM , RT3NLLM , RT3NMMM , RT3NNNM , RT3NPPM , RT3NQQM , RT3NRRM , RT3NSSM .

History: 2N4957 | 2N88

 

 
Back to Top

 


 
.