Справочник транзисторов. RT3NQQM

 

Биполярный транзистор RT3NQQM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3NQQM
   Маркировка: NQQ
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NQQM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  isahaya
 rt3nqqm.pdf pdf_icon

RT3NQQM

RT3NQQM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3NQQM is composite transistor built with two 1.25 RT1N240 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BC302 | FMMT4146 | 2SD882U-E | 2SC5846 | PUMH19 | KSD986 | AC194-7

 

 
Back to Top

 


 
.