RT3NTTM - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

RT3NTTM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RT3NTTM
   Маркировка: NTT
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 200 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналоги (замена) для RT3NTTM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NTTM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  isahaya
 rt3nttm.pdf pdf_icon

RT3NTTM

RT3NTTM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3NTTM is composite transistor built with two 1.25 RT1N250 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы... RT3NKKM , RT3NLLM , RT3NMMM , RT3NNNM , RT3NPPM , RT3NQQM , RT3NRRM , RT3NSSM , 2N2222 , RT3NUUM , RT3NVVM , RT3NWWM , RT3NXXM , RT3P11M , RT3P33M , RT3P55M , RT3P66M .

History: AD155 | GT1608

 

 
Back to Top

 


 
.