RT3NTTM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3NTTM

Маркировка: NTT

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 200 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3NTTM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3NTTM даташит

 ..1. Size:187K  isahaya
 rt3nttm.pdf pdf_icon

RT3NTTM

RT3NTTM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION 2.1 RT3NTTM is composite transistor built with two 1.25 RT1N250 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver

Другие транзисторы: RT3NKKM, RT3NLLM, RT3NMMM, RT3NNNM, RT3NPPM, RT3NQQM, RT3NRRM, RT3NSSM, C1815, RT3NUUM, RT3NVVM, RT3NWWM, RT3NXXM, RT3P11M, RT3P33M, RT3P55M, RT3P66M