Биполярный транзистор RT3NVVM Даташит. Аналоги
Наименование производителя: RT3NVVM
Маркировка: NVV
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 56
Корпус транзистора: SC-88
RT3NVVM Datasheet (PDF)
rt3nvvm.pdf

RT3NVVM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION 2.1 RT3NVVM is composite transistor built with two 1.25 RT1N24B chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inver
Другие транзисторы... RT3NMMM , RT3NNNM , RT3NPPM , RT3NQQM , RT3NRRM , RT3NSSM , RT3NTTM , RT3NUUM , C5198 , RT3NWWM , RT3NXXM , RT3P11M , RT3P33M , RT3P55M , RT3P66M , RT3P77M , RT3PDDM .
History: PMD9050D
History: PMD9050D



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent