RT3P33M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3P33M

Маркировка: P33

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3P33M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3P33M даташит

 ..1. Size:159K  isahaya
 rt3p33m.pdf pdf_icon

RT3P33M

PRELIMINARY RT3P33M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3P33M is compound transistor built with two RT1P441 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit,

Другие транзисторы: RT3NRRM, RT3NSSM, RT3NTTM, RT3NUUM, RT3NVVM, RT3NWWM, RT3NXXM, RT3P11M, BC337, RT3P55M, RT3P66M, RT3P77M, RT3PDDM, RT3PEEM, RT3PFFM, RT3PRRM, RT3T11M