Справочник транзисторов. RT3P55M

 

Биполярный транзистор RT3P55M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3P55M
   Маркировка: P55
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3P55M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3P55M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  isahaya
 rt3p55m.pdf pdf_icon

RT3P55M

RT3P55M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeOUTLINE DRAWING Unitmm DESCRIPTION RT3P55M is compound transistor built with two RT1P144 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit, interface

Другие транзисторы... RT3NSSM , RT3NTTM , RT3NUUM , RT3NVVM , RT3NWWM , RT3NXXM , RT3P11M , RT3P33M , BD140 , RT3P66M , RT3P77M , RT3PDDM , RT3PEEM , RT3PFFM , RT3PRRM , RT3T11M , RT3T14M .

 

 
Back to Top

 


 
.