RT3P55M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3P55M

Маркировка: P55

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3P55M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3P55M даташит

 ..1. Size:172K  isahaya
 rt3p55m.pdf pdf_icon

RT3P55M

RT3P55M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type OUTLINE DRAWING Unit mm DESCRIPTION RT3P55M is compound transistor built with two RT1P144 chips in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switching circuit, interface

Другие транзисторы: RT3NSSM, RT3NTTM, RT3NUUM, RT3NVVM, RT3NWWM, RT3NXXM, RT3P11M, RT3P33M, S8050, RT3P66M, RT3P77M, RT3PDDM, RT3PEEM, RT3PFFM, RT3PRRM, RT3T11M, RT3T14M