Справочник транзисторов. RT3T14M

 

Биполярный транзистор RT3T14M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3T14M
   Маркировка: T55
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.21
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3T14M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3T14M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  isahaya
 rt3t14m.pdf pdf_icon

RT3T14M

PRELIMINARY RT3T14M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm 2.1 RT3T14M is composite transistor built with RT1N144 1.25 chip and RT1P144 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mountin

 9.1. Size:166K  isahaya
 rt3t11m.pdf pdf_icon

RT3T14M

PRELIMINARY RT3T11M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3T11M is compound transistor built with RT1N141 chip and RT1P141 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Другие транзисторы... RT3P55M , RT3P66M , RT3P77M , RT3PDDM , RT3PEEM , RT3PFFM , RT3PRRM , RT3T11M , TIP122 , RT3T22M , RT3T33M , RT3T66M , RT3T77M , RT3TAAM , RT3TBBM , RT3TCCM , RT3TDDM .

 

 
Back to Top

 


 
.