RT3T33M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3T33M

Маркировка: T33

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3T33M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3T33M даташит

 ..1. Size:169K  isahaya
 rt3t33m.pdf pdf_icon

RT3T33M

PRELIMINARY RT3T33M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3T33M is compound transistor built with RT1N441 chip and RT1P441 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Другие транзисторы: RT3P77M, RT3PDDM, RT3PEEM, RT3PFFM, RT3PRRM, RT3T11M, RT3T14M, RT3T22M, 13009, RT3T66M, RT3T77M, RT3TAAM, RT3TBBM, RT3TCCM, RT3TDDM, RT3TFFM, RT3TGGM