RT3T66M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3T66M

Маркировка: T66

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3T66M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3T66M даташит

 ..1. Size:165K  isahaya
 rt3t66m.pdf pdf_icon

RT3T66M

PRELIMINARY RT3T66M Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3T66M is compound transistor built with RT1N430 chip and RT1P430 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Другие транзисторы: RT3PDDM, RT3PEEM, RT3PFFM, RT3PRRM, RT3T11M, RT3T14M, RT3T22M, RT3T33M, 2N3906, RT3T77M, RT3TAAM, RT3TBBM, RT3TCCM, RT3TDDM, RT3TFFM, RT3TGGM, RT3THHM