Справочник транзисторов. RT3T66M

 

Биполярный транзистор RT3T66M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3T66M
   Маркировка: T66
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3T66M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3T66M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  isahaya
 rt3t66m.pdf pdf_icon

RT3T66M

PRELIMINARY RT3T66M Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3T66M is compound transistor built with RT1N430 chip and RT1P430 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC490 | 2SC491B | S416T | 2S512

 

 
Back to Top

 


 
.