RT3TAAM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3TAAM

Маркировка: TAA

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SC-88

 Аналоги (замена) для RT3TAAM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3TAAM даташит

 ..1. Size:167K  isahaya
 rt3taam.pdf pdf_icon

RT3TAAM

PRELIMINARY RT3TAAM Composite Transistor With Resistor For Switching Application Silicon Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3TAAM is compound transistor built with RT1N151 chip and RT1P151 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Другие транзисторы: RT3PFFM, RT3PRRM, RT3T11M, RT3T14M, RT3T22M, RT3T33M, RT3T66M, RT3T77M, TIP31C, RT3TBBM, RT3TCCM, RT3TDDM, RT3TFFM, RT3TGGM, RT3THHM, RT3TLLM, RT3TSSM