Справочник транзисторов. RT3TAAM

 

Биполярный транзистор RT3TAAM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3TAAM
   Маркировка: TAA
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 100 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 100 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3TAAM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3TAAM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  isahaya
 rt3taam.pdf pdf_icon

RT3TAAM

PRELIMINARY RT3TAAM Composite Transistor With ResistorFor Switching ApplicationSilicon Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3TAAM is compound transistor built with RT1N151 chip and RT1P151 chip in SC-88 package. FEATURE Silicon epitaxial type Each transistor elements are independent. Mini package for easy mounting APPLICATION Inverted circuit, switchin

Другие транзисторы... RT3PFFM , RT3PRRM , RT3T11M , RT3T14M , RT3T22M , RT3T33M , RT3T66M , RT3T77M , 100DA025D , RT3TBBM , RT3TCCM , RT3TDDM , RT3TFFM , RT3TGGM , RT3THHM , RT3TLLM , RT3TSSM .

History: 2N1042-1

 

 
Back to Top

 


 
.